芯片 IO 驱动力

• PMU：电源管理单元。是集成电路（IC）的一种，负责管理系统中的电源分配、监控和调节，以确保电子设备中的各个部件能够以适当的电压和电流运行。
• TANKSE： PMU 的一种型号
• AX317（Chaser）： PMU 的一种型号
• LDO：低压差线性稳压器
• LVD：低电压检测器
• 带隙参考：决定了输出电压的稳定性和可调性。
• LDO 数量和输出范围：决定了 PMU 可以支持的电源轨数量及其电压调节范围。
• 未使用的 VDDCORE 域：可能与电源管理的灵活性或效率有关。
• SDIO 和 FlashIO 的驱动强度：影响数据传输的质量和速度。
• LVD 阈值的可调性：允许系统根据需要调整电压检测的敏感度。

这份 PPT 文档是关于两款电源管理单元（PMU）—— TANKSE 和 AX317（Chaser）的比较，主要聚焦于它们的驱动强度设置。文档内容涉及多个方面，包括不同 LDO（低压差线性稳压器）的配置、LVD（低电压检测器）阈值的可调性、低功耗模式的设置以及 FlashIO 和 SDIO 的驱动强度特性。以下是对文档内容的概要解读：

1. PMU 比较：TANKSE vs AX317 (Chaser)

• 带隙参考：TANKSE 和 AX317 都有带隙参考，但它们的输出电压和调整步进不同。
• LDO 数量：两者都有3个 LDO，分别为 CORE、SDIO 和 FLASHIO。
• VDDCORE 未使用域：AX317 有5个未使用域，而 TANKSE 有2个。
• SDIO 输出范围：TANKSE 支持3.3V/1.8V，而AX317支持3.3V/2.5V（通过 EFUSE）和1.8V。
• FlashIO LDO 输出范围：TANKSE 支持3.3V/1.8V/1.2V，AX317支持1.8V/1.2V。
• PMU 块支持低功耗模式：两者的 LDO 可以独立激活低功耗模式。
• LVD 数量：TANKSE 有1个 LVD，AX317 有2个。
• LVD 阈值可调性：TANKSE 的 LVD 阈值是可调的，而 AX317 的不是。

2. Core LDO 和 SDIO LDO

• 测量输出：文档提到 TANKSE 和 AX317 的输出与修剪大致相同。

3. FlashIO LDO

• 使能/禁用：TANKSE 和 AX317 都可以使能或禁用 FlashIO LDO。
• 低功耗模式：两者的 FlashIO LDO 都不支持低功耗模式。
• 3.3V输出（旁路模式）：TANKSE 支持旁路模式，而 AX317 不支持。
• 电压输出修剪位：两者都有4位的电压输出修剪位。
• VCCQ 输出电压切换下的放电电阻：TANKSE 支持，而 AX317 不支持。

4. LVD 阈值

• TANKSE 和 AX317 的 LVD1 和 LVD2 阈值：列出了不同的阈值设置及其对应的二进制编码。

5. LVD 修剪/输入通道切换

• TANKSE：提供了改变检测通道和/或阈值电压的步骤。

6. 低功耗模式设置

• TANKSE 和 AX317：描述了进入和退出低功耗模式的步骤。

7. FlashIO： AX317 和 TANKSE

• 可调特性：包括驱动强度设置、输入路径设置、输入阈值电平选择和上拉/下拉电阻。

8. Flash Memory Drive Strength Spec.

• 6DDL 和 9T25：提到了不同 VCCQ 下的驱动强度规格。

9. FlashIO 驱动强度比较

• AX317 和 TANKSE：展示了不同驱动强度下的测量结果。

10. 驱动强度的影响

• 增加驱动强度：可以减少 FlashIO 输出信号的上升/下降时间，增加瞬态电流，可能导致信号过冲/下冲。

11. 输入阈值电平选择（HNL）

• VCCQ：展示了不同 HNL 设置下的输入高范围和低范围。

12. SDIO： AX317 和 TANKSE

• 可调特性：包括驱动强度设置、测试输入/输出、输入阈值电平选择和上拉/下拉电阻。

13. 1.8V SDIO 驱动强度规格

• SDIO 驱动强度比较：展示了 AX317 和 TANKSE 在不同驱动强度下的测量结果。

14. 不同驱动强度下的眼图影响

• 眼图开启：随着驱动强度的增加，眼图开启增大，但过冲/下冲也随之增加。

15. 输入阈值电平选择（HNL）

• SDVCCQ：展示了不同 HNL 设置下的输入高范围和低范围。

这份文档提供了详细的技术规格和操作步骤，用于比较和配置TANKSE和AX317 PMU。