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霜晨月
2025-07-09
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基于PA算法的FTL引导

# 一、抽象绑定关系

# 1. 什么是 AF Block，什么是 NF Block，为什么要将多个 NF Block 绑定为一个 AF Block

AF Block（Allocation Flash Block） 和 NF Block（NAND Flash Block） 是在 NAND Flash 存储架构中用于管理数据的基本单位。

# AF Block

  • 定义：AF Block 是一组多个 NF Block 组合而成的逻辑块。它通常用于更高层次的管理，以便提高效率和灵活性。
  • 功能：AF Block 允许在更大的范围内进行数据分配和管理，有助于提升读写性能以及实现更复杂的擦除和写入操作。

# NF Block

  • 定义：NF Block 是 NAND Flash 的基本物理块，通常包含多个页。每个 NF Block 可以独立地进行擦除和编程。
  • 功能：NF Block 是 NAND Flash 存储器的基本操作单位，直接参与数据的读写。

# 将多个 NF Block 绑定为一个 AF Block 的原因

  1. 管理效率：将多个 NF Block 组合为一个 AF Block 使得管理大容量存储变得更加高效。通过在逻辑层次上合并，可以减少控制器在进行数据分配时的复杂性。

  2. 性能优化：合并 NF Block 为 AF Block 可以提升数据读写的并行性，允许控制器同时处理多个 NF Block 的操作，从而提高整体性能。

  3. 简化操作：在执行大规模数据操作（如擦除、写入）时，可以通过 AF Block 来一次性处理多个 NF Block，减少了多次操作所需的时间和复杂性。

  4. 提升耐用性：通过在 AF Block 的层面进行擦除和管理，可以更好地控制 NAND Flash 的磨损，延长其使用寿命。

# 总结

AF Block 通过将多个 NF Block 组合在一起，提升了数据管理的灵活性和效率，同时优化了读写性能。这种逻辑结构使得 NAND Flash 在实际应用中更加高效和持久。

# 2. 在绑定的时候，选取的若干个 NF Block 需要满足怎样的条件才可以成功绑定成一个 AF Block？

在将多个 NF Block 绑定成一个 AF Block 时，需要满足以下几个条件：

  1. 相邻性：选择的 NF Block 通常应是相邻的，这样可以确保在逻辑上管理时的连续性，提高操作的效率。

  2. 同类型：绑定的 NF Block 应该是相同类型的，例如它们的容量、页大小、块大小等参数必须一致，以确保在数据管理和操作时不会出现不兼容的问题。

  3. 健康状态：所有选定的 NF Block 应处于良好状态，未损坏且能够正常执行读写操作。损坏的块应被隔离，不能参与绑定。

  4. 擦除状态：在绑定之前，选定的 NF Block 应处于已擦除状态，以确保在进行数据写入时不会出现数据冲突或错误。

  5. 逻辑映射一致性：确保选定的 NF Block 在逻辑映射上能够顺利转换为 AF Block，避免在数据操作时出现地址混乱或误读。

通过满足这些条件，可以确保多个 NF Block 成功绑定为一个 AF Block，从而优化数据管理和操作效率。

# 二、表格管理

# 1. FTL 所使用的算法表在算法运行时存放在哪里，为什么要这么做，有什么好处和坏处？

FTL（Flash Translation Layer）使用的算法通常存放在以下位置：

# 存放位置

  1. 固件（Firmware）：FTL 的算法通常嵌入在存储设备的固件中。这意味着算法是以软件的形式直接运行在存储控制器上。

  2. RAM：某些数据结构（如映射表、缓冲区等）可能会在设备的 RAM 中临时存放，以加速访问和操作。

# 为什么要这样做

  • 直接控制：将 FTL 算法嵌入固件中可以实现对 NAND Flash 操作的直接控制，优化读写性能，降低延迟。
  • 硬件优化：固件可以根据硬件特性调整算法，以充分利用存储设备的性能优势。
  • 简化管理：固件中的算法可以简化数据管理和映射，提升设备的可靠性和耐用性。

# 好处

  1. 性能提升：通过直接控制 NAND Flash 的操作，FTL 可以实现更高的读写速度和更低的延迟。
  2. 灵活性：可以根据不同的需求和特性动态调整算法，以适应不同的工作负载。
  3. 错误管理：固件可以实现复杂的错误处理和磨损均衡策略，从而提高 NAND Flash 的使用寿命。

# 坏处

  1. 复杂性：固件中的 FTL 算法可能导致整体系统的复杂性增加，调试和维护变得更加困难。
  2. 资源消耗：存储算法和相关数据结构占用 RAM，可能影响设备的资源管理和可用容量。
  3. 更新困难：如果 FTL 算法需要更新，可能需要整个固件重新编程，增加了升级的复杂性。

# 总结

FTL 算法通常存放在固件和 RAM 中，这种设计能够提供性能优化和灵活性，但也带来了复杂性和资源管理上的挑战。

# 2. 什么是 UDP 表格，UDP 表格在算法的运行过程当中会产生变化吗？

UDP 表格（User Data Pointer Table） 是在 NAND Flash 存储管理中使用的一种数据结构，用于维护逻辑页地址与物理页地址之间的映射关系。UDP 表格通常用于管理用户数据在 Flash 中的存储位置，以便在读写操作时能够快速定位数据。

# UDP 表格的功能

  1. 地址映射：UDP 表格将逻辑页地址映射到对应的物理页地址，使得系统能够在读写操作中快速找到数据的位置。
  2. 数据管理：管理 Flash 中的数据更新、删除和垃圾收集等操作，确保数据一致性。

# 运行过程中的变化

是的，UDP 表格在算法的运行过程中会产生变化，主要体现在以下几个方面：

  1. 写入操作：每当新的数据被写入时，UDP 表格会更新，以反映新数据的物理位置。
  2. 删除操作：当数据被删除时，UDP 表格中的映射关系会被移除，可能需要标记物理位置为可用。
  3. 更新操作：如果数据被修改，UDP 表格会相应地更新映射关系，以指向新的物理地址。
  4. 垃圾收集：在进行垃圾收集时，UDP 表格需要更新，以反映哪些物理页已被回收和哪些仍在使用。

# 总结

UDP 表格是 NAND Flash 存储管理中的关键组件，它在算法的运行过程中会根据数据的写入、删除和更新等操作不断变化，以维持逻辑地址与物理地址之间的正确映射。

# 3. P2L 和 L2P 的涵义

P2L（Physical-to-Logical Mapping） 和 L2P（Logical-to-Physical Mapping） 是 NAND Flash 存储管理中的两种重要映射关系，分别用于描述物理地址和逻辑地址之间的转换。

# P2L（Physical-to-Logical Mapping）

  • 定义：P2L 映射是指将物理地址（物理页或块）映射到逻辑地址（用户可见的地址）之间的关系。
  • 用途：在执行垃圾收集或其他管理任务时，系统需要知道某个物理地址对应的逻辑地址，以便正确处理数据和更新映射。

# L2P（Logical-to-Physical Mapping）

  • 定义：L2P 映射是指将逻辑地址映射到物理地址的关系。
  • 用途：在读写操作时，系统根据逻辑地址查找 L2P 映射，以确定数据存储在 NAND Flash 的哪个物理地址。

# 总结

P2L 和 L2P 映射在 NAND Flash 管理中起着重要作用，分别负责从物理地址到逻辑地址和从逻辑地址到物理地址的转换，以确保数据的正确读写和管理。

# 4. 每一张 16k 大小的 L2P 表所能表达的逻辑容量是多少，写出计算过程，Page 管理为例

要计算每张 16K 大小的 L2P 表所能表达的逻辑容量，我们需要知道每个逻辑页的大小。以下是计算过程的示例，假设每个逻辑页为 4K（常见大小）。

# 计算步骤

  1. 确定 L2P 表的大小：

    • 每张 L2P 表的大小为 16K。

  2. 确定逻辑页的大小：

    • 假设每个逻辑页的大小为 4K。

  3. 计算每张 L2P 表能映射的逻辑页数量： 每张 L2P 表能映射的逻辑页数量 = L2P 表大小/逻辑页大小 = 16K/4K = 4

  4. 计算逻辑容量：

    • 每张 L2P 表能映射 4 个逻辑页。
    • 每个逻辑页的大小为 4K，所以每张 L2P 表能表示的逻辑容量为： 逻辑容量 = 每张 L2P 表能映射的逻辑页数量/逻辑页大小 = 4 * 4K = 16K

# 总结

因此，每一张 16K 大小的 L2P 表所能表达的逻辑容量为 16K。这个计算过程可以根据不同的逻辑页大小进行调整，以得出相应的结果。

# 5. 每张 L2P Index 表格对应的 AF 地址存储在什么地方

每张 L2P Index 表格对应的 AF 地址通常存储在以下几个地方：

  1. 固件内部：L2P Index 表格和相应的 AF 地址一般存储在 NAND Flash 存储设备的固件中。这允许控制器在进行读写操作时直接访问和更新这些地址映射。

  2. RAM 缓存：在一些系统中，为了提高性能，L2P Index 表格可能会在 RAM 中进行缓存。这样可以加速对表格的访问，减少读取 NAND Flash 的次数。

  3. 持久性存储：如果系统支持断电恢复，L2P Index 表格的副本可能会被定期写入 NAND Flash，以确保在电源故障或系统崩溃后能够恢复映射信息。

# 为什么要这样做

  • 访问速度：将 L2P Index 表存储在 RAM 中可以提高访问速度，提升整体性能。
  • 数据持久性：将映射信息存储在 NAND Flash 中可以保证数据的一致性和持久性，即使在断电的情况下也能恢复状态。

# 总结

L2P Index 表格对应的 AF 地址一般存储在固件内部，可能还会在 RAM 中缓存，以提高性能，并在 NAND Flash 中保持持久性，以防数据丢失。

# 6. WL 及 PS 表格，每张存储在 Flash Page 上的表当中，每一项数据代表什么，每一项数据的字长是多少，每一项数据对应的页内偏移代表什么？

在 NAND Flash 存储中，WL（Word Line）表和PS（Page Status）表通常用于管理和记录页的状态及其映射。以下是它们的详细描述：

# WL 表格

  • 每项数据代表：WL 表格中的每一项通常表示一个物理页的地址或状态，可能包含该页的有效性、擦除状态等信息。
  • 字长：每一项数据的字长一般为 2 字节（16 位）或 4 字节（32 位），具体取决于系统架构和设计。
  • 页内偏移：页内偏移通常指的是在物理页内的位置，表示该数据在页内的具体位置，通常以字节为单位。

# PS 表格

  • 每项数据代表：PS 表格中的每一项通常表示页的状态信息，例如是否有效、是否已写入、是否可擦除等。
  • 字长：每一项数据的字长一般也是 1 字节（8 位），足以表示多个状态标志。
  • 页内偏移：页内偏移同样指的是在物理页内的位置，通常以字节为单位，指向状态数据在页中的位置。

# 总结

  • WL 表格：每项数据表示物理页状态，字长可能为 2 或 4 字节，页内偏移指该项数据在物理页内的位置。
  • PS 表格：每项数据表示页的有效性或状态，字长一般为 1 字节，页内偏移指向状态数据在页中的位置。

# 7. 动态磨损和静态磨损的区别

动态磨损和静态磨损是 NAND Flash 存储中两种不同的磨损现象，主要区别如下：

# 动态磨损（Dynamic Wear）

  • 定义：动态磨损是指在数据写入和删除过程中，由于频繁的读写操作导致的磨损。这种磨损主要发生在经常被更新或修改的数据区域。
  • 特点：
    • 通常影响活跃的数据块。
    • 随着数据的频繁写入，特定块的耐用性会迅速降低。
    • 需要采用磨损均衡算法来分散写入负载，延长整体存储寿命。

# 静态磨损（Static Wear）

  • 定义：静态磨损是指在数据不变的情况下，某些块由于长时间未被擦除而导致的磨损。即使没有写入操作，长时间的存储仍会对特定块造成影响。
  • 特点：
    • 通常影响较少被访问或不再被更新的数据块。
    • 由于 Flash 存储的物理特性，长时间未使用的块可能会出现失效或错误。
    • 可能需要定期刷新数据以维持数据完整性。

# 总结

  • 动态磨损 主要发生在频繁读写的数据块，影响活跃区域的耐用性；而 静态磨损 则发生在长时间未变更的数据块，主要影响长期存储的数据。两者都需要通过不同的策略来管理，以延长 NAND Flash 的使用寿命。

# 8. 存储表格所需的 Block 是从哪里挑选出来的，为什么？

在 NAND Flash 存储中，存储表格所需的 Block 通常是从以下几个地方挑选出来的：

# 1. 预留块（Reserved Blocks）

  • 来源：制造时就预留的一部分块，用于特定的管理任务，如存储 L2P 表、WL 表、PS 表等。
  • 原因：预留块可以避免影响用户数据的读写操作，确保管理信息的完整性和可用性。

# 2. 空闲块（Free Blocks）

  • 来源：经过擦除且未被使用的块。
  • 原因：使用空闲块可以确保写入操作不会对已有数据造成影响，同时允许快速分配和管理存储空间。

# 3. 低磨损块（Low Wear Blocks）

  • 来源：相对较少被写入或访问的块。
  • 原因：选择低磨损块可以延长整个存储设备的使用寿命，避免集中磨损导致的早期失效。

# 4. 根据磨损均衡策略选择的块

  • 来源：根据磨损均衡算法动态选择的块。
  • 原因：通过磨损均衡，系统会定期选择不同的块来存储表格数据，以避免某些块的过度磨损，提高整体耐用性。

# 总结

存储表格所需的 Block 通常从预留块、空闲块、低磨损块和根据磨损均衡策略选择的块中挑选出来。这种选择策略旨在确保数据管理的有效性和存储设备的长期稳定性。

# 9. 什么是 SuperBlock，FTL 在上电时是怎么获取 SuperBlock 的块号的

SuperBlock 是在 NAND Flash 存储中用于管理和维护重要元数据的一种特殊块。它通常包含了系统的基本信息，如 L2P 映射表、磨损均衡信息、块状态、存储容量和其他管理数据。

# SuperBlock 的功能

  1. 元数据存储：存储有关存储设备状态和配置的信息。
  2. 数据完整性：确保在上电或重启时能够正确恢复系统状态。
  3. 系统管理：帮助管理 FTL 的操作，如地址映射和磨损均衡。

# FTL 在上电时获取 SuperBlock 的块号

在上电时，FTL 通常通过以下步骤获取 SuperBlock 的块号：

  1. 读取特定位置：FTL 会读取特定的 NAND Flash 地址（通常是预定义的或固定的地址），该地址指向 SuperBlock 的位置或包含 SuperBlock 块号的元数据。

  2. 使用 Boot Block：有些设计会将 SuperBlock 的块号存储在 Boot Block 中。FTL 在初始化时首先读取 Boot Block，以获取 SuperBlock 的相关信息。

  3. 检查状态信息：FTL 可能会检查特定块的状态信息，判断哪些块可以被视为 SuperBlock。通过识别块的特征（如有效性标志），FTL 可以确定正确的块号。

  4. 冗余和备份：为了增加容错能力，系统可能会在多个位置保存 SuperBlock 的副本，FTL 会遍历这些位置以确保获取到最新的有效块号。

# 总结

SuperBlock 是管理 NAND Flash 存储的重要数据结构，FTL 在上电时通过读取特定地址、使用 Boot Block、检查状态信息以及冗余备份等方法获取 SuperBlock 的块号，以确保系统能够正确初始化和恢复。

# 10. 简述上电时，搜索到 Index 表并进行加载的流程

上电时搜索并加载 Index 表的流程通常包括以下几个步骤：

# 1. 设备初始化

  • 上电：设备通电后，固件开始初始化硬件组件，准备进行数据读取。
  • 自检：执行自检程序，确保 NAND Flash 和其他硬件正常工作。

# 2. 读取 Boot Block

  • 访问 Boot Block：固件读取预定义的 Boot Block，该块通常包含关于 Index 表位置的信息。
  • 获取 Index 表地址：从 Boot Block 中提取 Index 表的物理地址或相关标识。

# 3. 加载 Index 表

  • 访问 Index 表：根据从 Boot Block 获取的信息，固件定位并读取 Index 表。
  • 解析 Index 表：将 Index 表中的逻辑到物理地址的映射关系解析到内存中。

# 4. 验证数据完整性

  • 校验和验证：对加载的 Index 表进行完整性检查，如校验和或 CRC 校验，以确保数据的准确性。
  • 错误处理：如果验证失败，可能需要尝试读取冗余 Index 表或采取恢复措施。

# 5. 更新状态信息

  • 更新内存状态：将 Index 表的状态信息更新到 RAM，以便后续的读写操作使用。
  • 设置标志：设置必要的状态标志，表明 Index 表已成功加载并处于可用状态。

# 6. 准备数据操作

  • 数据准备：根据加载的 Index 表，准备逻辑页和物理页的映射，以便后续的读写操作能够顺利进行。

# 总结

在上电时，搜索并加载 Index 表的流程涉及设备初始化、读取 Boot Block、加载和解析 Index 表、验证数据完整性、更新状态信息以及准备数据操作。通过这一系列步骤，确保系统能够正常访问和管理存储数据。

# 三、逻辑写及回收流程

# 1. 什么是页模型，页模型存储在什么地方？

页模型（Page Model） 是指在 NAND Flash 存储管理中使用的一种数据结构，用于描述和管理数据在物理页和逻辑页之间的映射关系。它通常定义了页的结构、大小以及相关的状态信息。

# 页模型的功能

  1. 映射管理：记录逻辑页地址与物理页地址之间的映射，便于读写操作。
  2. 状态跟踪：维护每个页的状态，如有效性、擦除状态和写入次数等信息。
  3. 优化性能：通过合理的映射管理，提高读写性能和磨损均衡。

# 页模型存储位置

页模型通常存储在以下几个地方：

  1. NAND Flash 存储器：页模型的相关信息（如映射表和状态信息）可以直接存储在 NAND Flash 中的特定物理页中，通常在预留或空闲的块中。

  2. RAM 缓存：为提高访问速度，页模型的副本可能会被存储在 RAM 中，以便快速读取和更新。

  3. 固件（Firmware）：页模型的结构和逻辑可能嵌入在存储设备的固件中，以便在设备初始化和操作时使用。

# 总结

页模型是一种用于管理数据映射和状态的结构，通常存储在 NAND Flash 中的特定物理页、RAM 缓存中，或者嵌入在固件中。通过合理的管理，页模型有助于提高 NAND Flash 的性能和使用寿命。

# 2. 为什么数据要进行随机化处理，在计算随机种子时，SLC AF Block和TLC AF Block会有什么区别？

数据进行随机化处理的主要原因是为了提高数据安全性和存储效率。以下是详细的解释：

# 随机化处理的目的

  1. 安全性：通过随机化数据，可以防止信息泄露和攻击，增强数据保护。
  2. 磨损均衡：在 NAND Flash 存储中，随机化数据可以均匀分配写入操作，避免特定块的过度磨损。
  3. 提高性能：随机化写入可以减少写入放大效应，提高存储设备的性能和响应速度。

# SLC AF Block 和 TLC AF Block 在计算随机种子时的区别

  1. SLC（Single-Level Cell）AF Block：

    • 存储特性：每个单元存储 1 位数据，读写操作简单且快速。
    • 随机种子计算：由于 SLC Block 的写入和读取速度较快，随机种子的生成和处理可以相对简单，通常针对每个写入操作进行。

  2. TLC（Triple-Level Cell）AF Block：

    • 存储特性：每个单元存储 3 位数据，读写复杂且速度较慢。
    • 随机种子计算：在 TLC Block 中，考虑到多个电平状态的复杂性，随机种子的生成需要更加精细的算法，以确保在写入过程中不影响数据的准确性。TLC 的随机种子可能需要基于多个页面的数据状态进行计算，增加了处理复杂度。

# 总结

数据随机化处理有助于提高安全性和存储效率，而在计算随机种子时，SLC 和 TLC AF Block 之间的区别主要体现在写入和读取的复杂性、速度和处理算法的精细程度。

# 3. 有几类 TmpL2P，TmpL2P 被存放在什么地方，各类 TmpL2P 的数据格式是怎样的？

TmpL2P（Temporary Logical-to-Physical Mapping） 是一种临时映射表，用于在 NAND Flash 存储中管理逻辑页与物理页之间的关系。TmpL2P 通常用于特定的操作，如写入、删除或磨损均衡。根据用途的不同，TmpL2P 可以分为几类。

# TmpL2P 的几类

  1. 写入临时映射（Write TmpL2P）：

    • 用途：用于记录正在写入的数据页的映射。
    • 存储位置：通常存储在 RAM 中，以便快速访问。

  2. 删除临时映射（Delete TmpL2P）：

    • 用途：在执行删除操作时记录逻辑页的映射，可能用于后续的垃圾回收。
    • 存储位置：可以存储在 RAM 或 NAND Flash 的预留空间中。

  3. 磨损均衡临时映射（Wear Leveling TmpL2P）：

    • 用途：用于记录因磨损均衡而移动的逻辑页与物理页的映射关系。
    • 存储位置：通常存储在 RAM 中，以便在执行磨损均衡时快速引用。

# TmpL2P 数据格式

TmpL2P 的数据格式可能会因具体实现而异，但通常包含以下字段：

  1. 逻辑页号（Logical Page Number）：标识逻辑页的唯一编号。
  2. 物理页号（Physical Page Number）：标识映射到的物理页的唯一编号。
  3. 状态标志（Status Flags）：表示映射的状态，如有效性、是否已写入等。
  4. 时间戳（Timestamp）：记录映射创建的时间，可能用于后续操作的管理。
  5. 其他元数据：根据需求，可能包括写入次数、校验和等信息。

# 总结

TmpL2P 可以分为写入临时映射、删除临时映射和磨损均衡临时映射，各类 TmpL2P 的存储位置可能在 RAM 或 NAND Flash 中。数据格式一般包括逻辑页号、物理页号、状态标志、时间戳等字段，以满足不同的管理需求。

# 4. 简述回收模块的主要设计策略

回收模块（Garbage Collection, GC）在 NAND Flash 存储中负责管理和回收无效数据，以保持存储空间的有效性和性能。以下是回收模块的主要设计策略：

# 1. 分层回收（Hierarchical GC）

  • 将回收过程分为多个层次，根据数据的有效性和使用频率进行分级回收。优先处理较低层次的数据块，以提高整体性能。

# 2. 主动回收（Active GC）

  • 在系统空闲时主动执行回收操作，而不是被动等待空间不足时再进行。这样可以减少对性能的影响，确保系统在高负载时仍然能够正常运行。

# 3. 选择性回收（Selective GC）

  • 根据数据的使用频率和有效性，优先回收长时间未更新或删除的数据块，避免频繁回收活跃数据块，以延长存储寿命。

# 4. 磨损均衡（Wear Leveling）

  • 在回收过程中，尽量选择磨损较少的块进行回收，以均匀分配写入负载，防止某些块过度磨损，提高整体耐用性。

# 5. 多线程回收（Multithreaded GC）

  • 采用多线程机制并行执行回收操作，以提高回收效率，减少对主数据处理的影响。

# 6. 缓存管理（Cache Management）

  • 在回收过程中使用 RAM 缓存来保存有效数据，减少对 NAND Flash 的直接访问频率，提高回收速度。

# 7. 记录元数据（Metadata Management）

  • 维护详细的元数据记录，跟踪逻辑页和物理页的映射关系，以提高回收的准确性和效率。

# 总结

回收模块的主要设计策略包括分层回收、主动回收、选择性回收、磨损均衡、多线程回收、缓存管理和记录元数据。这些策略共同作用，确保 NAND Flash 存储的高效性、性能和耐用性。

# 5. 在进行 S2S 和 S2T 回收时，采用的分别是 PS 较大还是 PS 较小的 AF Block

在进行 S2S（Source to Source） 和 S2T（Source to Target） 回收时，通常采用的 AF Block 类型有所不同：

# S2S 回收

  • 采用 PS 较小的 AF Block：S2S 回收侧重于在相同的物理地址范围内进行数据的清理和整理，使用较小的 PS 可以更有效地管理和释放空间，避免大块的无效数据占用资源。

# S2T 回收

  • 采用 PS 较大的 AF Block：S2T 回收通常涉及将数据从一个位置迁移到另一个位置，使用较大的 PS 可以更好地管理大数据量的迁移，减少操作次数，提高效率。

# 总结

  • S2S 回收时倾向于使用 PS 较小的 AF Block，而 S2T 回收时则更倾向于使用 PS 较大的 AF Block，以优化回收效率和数据管理。

# 6. 当所有 TLC 块被都被写入一部分数据后，此时 TLC Free Block 用完了，之后是通过进行哪几个回收流程保证能够继续提供 TLC 空块用于搬移数据

当所有 TLC 块被写入部分数据且 TLC Free Block 用完时，为了继续提供空块用于搬移数据，通常需要进行以下几个回收流程：

# 1. S2T 回收（Source to Target）

  • 流程：将部分有效数据从已写满的 TLC 块迁移到其他空闲块，以腾出空间。该过程将逻辑页重新映射到新的物理页。

# 2. S2S 回收（Source to Source）

  • 流程：在相同的物理地址范围内清理无效数据，优化数据布局。该过程可以释放当前块中的部分空间，为后续写入腾出更多空闲块。

# 3. 选择性回收（Selective Garbage Collection）

  • 流程：根据块的有效性和使用频率，优先回收那些长时间未更新或包含大量无效数据的块，以便快速释放空闲块。

# 4. 磨损均衡（Wear Leveling）

  • 流程：在回收过程中，将数据移动到磨损较少的块，以均匀分配写入负载，避免特定块的过度使用。

# 总结

通过执行 S2T 和 S2S 回收、选择性回收以及磨损均衡，系统能够有效地释放和管理空间，从而确保继续提供空块用于搬移数据。

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